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NIM-IC型半导体硅单晶电阻率标准样片与NBS的SRM型标准样片的比较实验
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采用射频 - 直流等离子体增强 化学气相沉积 技术在单晶硅衬底上沉积了类金刚石薄膜.
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本文介绍了目前区熔掺杂方法的现状、区熔气相掺杂的优点和基本原理及工艺。
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We made the Czochralski silicon single crystal with a diameter of 12 inches.
直径12英寸直拉单晶硅研制成功.
网络文摘精选
A temperature sensor based single crystal silicon diaphragm was proposed and studied.
理论分析了单晶硅膜温度传感的机理,通过计算得到了硅膜厚度与温度测量范围之间的关系.
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采用无电镀沉积技术在经过机械抛光的 单晶硅衬底 上沉积了铜纳米晶.
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选择高阻N型〈100〉单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构。
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随着单晶硅在太阳能光伏行业和半导体行业的应用越来越广泛,炭素材料作为直拉单晶硅炉重要的热场材料也得到迅速发展。
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以单晶硅片为靶材,高纯Ar和O2分别为溅射气体和反应气体,采用反应磁控溅射法在铝基体上制备了硅氧化物薄膜。
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采用多弧离子镀技术在高速钢和单晶硅基体上制备Zr-Ni-N复合薄膜,研究了低能氮离子束对Zr-Ni-N涂层结构、表面形貌和硬度的影响。
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介绍了直拉法生长单晶硅的基本原理及工艺条件。
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关键词: 微型陀螺仪 、 矽单晶 、 三轴 角速率 感测 、 振动自然频率与模态.
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Surface Appearance Study of Nd: YAG Solid Laser Milling on Single Crystal Silicon
Nd:YAG固体激光铣削单晶硅表面形貌研究
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在硬脆材料(特别是硅晶体)切割工艺中,固结磨料金刚石线锯切片技术因其高效率、低损耗、无污染等优势得以广泛应用。
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The drawing of single crystal silicon in a closed thermal system is described.
本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制硅单晶的情况.
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由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si基器件成为一个研究热点。
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设计并研制了一种基于法布里-珀罗干涉原理的单晶硅薄膜温度传感器。
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